MYS सीरीज - MYL10 प्लाज्मा सिस्टम उच्च-मात्रा वाले लीड फ़्रेम भूतल उपचार को प्राप्त करना इलेक्ट्रॉनिक्स असेंबली और सेमीकंडक्टर बाजारों की तीव्र वृद्धि के साथ, उत्पादन दक्षता और विश्वसनीयता के लिए उद्योग की मांग बढ़ती जा रही है। पारंपरिक वैक्यूम प्लाज्मा प्रसंस्करण से जुड़े प्रतीक्षा समय को समाप्त करके, एमवाईएस श्रृंखला सफाई प्रणाली सभी संवेदनशील इलेक्ट्रॉनिक घटकों की सुरक्षित हैंडलिंग सुनिश्चित करते हुए काफी अधिक थ्रूपुट और बेहतर समग्र पैदावार प्रदान करती है।
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MYL10 प्लाज्मा प्रणाली सीसा फ्रेम के लिए उच्च-थ्रूपुट सतह उपचार प्राप्त करती है।
• वायुमंडलीय दबाव आर्गन प्लाज्मा प्रणाली
• 100 मिमी-चौड़ा इनलाइन बैच प्लाज्मा प्रसंस्करण; पारंपरिक तरीकों की तुलना में 2-5 गुना अधिक दक्षता और 30% से अधिक कम परिचालन लागत प्रदान करता है; 1,800 यूपीएच का अधिकतम थ्रूपुट
• उच्च-थ्रूपुट, अत्यधिक लचीला उत्पादन: विभिन्न आकारों के लीड फ़्रेमों को संसाधित करने में सक्षम, जिसमें विभिन्न आकारों की एक साथ प्रसंस्करण भी शामिल है
• 100% तटस्थ प्लाज्मा: संवेदनशील इलेक्ट्रॉनिक घटकों पर सुरक्षित और सौम्य; कोई प्लाज्मा बमबारी, स्थैतिक बिजली, चिंगारी, चाप, धूल, उच्च गर्मी, सतह तरंग या यूवी विकिरण उत्पन्न नहीं करता है, जिससे उत्पाद को कोई नुकसान नहीं होता है।
• एकाधिक रासायनिक प्रक्रियाएं: O2 प्रक्रिया कार्बनिक संदूषकों को हटा देती है; H2 प्रक्रिया धातु ऑक्साइड को हटा देती है और उत्पाद की सतहों को सक्रिय कर देती है
• उत्पाद पर कोई कण या तरल संदूषण उत्पन्न नहीं हुआ
विशेष विवरण
बुनियादी पैरामीटर
MYL10
बिजली की आवश्यकताएं
एसी 200~240V, 5kW, 23A, 50/60Hz
वायुदाब आवश्यकताएँ
90psi (6बार)
DIMENSIONS
1500 x 2100 x 2100 मिमी
वज़न
2500 किग्रा
प्रमाणन मानक
सीई, सेमी एस2
स्थिति निर्धारण सटीकता
XY: ±20 µm @ 3σ; Z: ±5 µm @ 3σ
XYZ-अक्ष पुनरावृत्ति
XY: ±15 µm @ 3σ; Z: ±5 µm @ 3σ
अधिकतम गति
1000 मिमी/सेकेंड (XY)
त्वरण
1.0 ग्रा
ड्राइव सिस्टम
एसी सर्वो
कार्य मंच पैरामीटर
रेल प्रकार
रेल
रेलों की संख्या
4
उत्पाद की मोटाई सीमा
0.1-1 मिमी
जेड-एक्सिस यात्रा
100 मिमी
अधिकतम. थ्रूपुट (यूपीएच)
1800
संचार प्रोटोकॉल
स्मेमा
कार्य सीमा
प्लाज्मा उपचार क्षेत्र (डब्ल्यू×डी)
300-1320 मिमी
प्लाज्मा उपचार विधि
कार्बनिक संदूषकों को हटाने के लिए O2 प्रक्रिया धातु ऑक्साइड को हटाने के लिए H2 प्रक्रिया
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